三星3nm工艺突破质疑：官方声明性能与产量稳步前行

7月10日消息，针对近期业界对三星3nm工艺良率和性能的种种猜测，三星公司于7月9日正式发布新闻稿，明确表示3nm工艺的良率和性能已达到稳定状态，整体项目正按预定计划有序推进。

6月援引韩媒报道，三星电子的 Exynos 2500 芯片目前良率仍略低于 20%，未来能否用于 Galaxy S25 系列手机尚不明朗。

三星在最新声明中否认了外界传闻，表示：

三星于 2022 年全球首次量产 3nm GAA 工艺之后，第二代 3nm 工艺性能稳定，且产量已步入正轨。

三星在新闻稿中表示积极和设计解决方案合作伙伴（DSP）合作，为原型生产提供多项目晶圆（MPW）服务。

三星电子今年的 MPW 服务总数为 32 个，涵盖生产高性能功率半导体的 4 纳米工艺到 BCD 130 纳米工艺，与去年相比增加了约 10%，到 2025 年将增加到 35 个。

三星HBM3E内存历经革新，终获NVIDIA认可，高性能之战再下一城

近日消息，三星电子宣布其最新的HBM3E内存已顺利通过NVIDIA的严格认证测试流程，预期将于下一季度启动对NVIDIA的批量供货，此消息预示着高性能计算领域将迎来存储技术的重大升级。

此前，三星电子为了集中力量发展HBM技术，已对其半导体业务线进行了多次调整，包括成立专门的HBM小组和改组DS（设备解决方案）部门等，誓要拿下NVIDIA这个大客户。

业界预期，三星电子将在7月31日的财务报告会议上宣布这一消息，三星电子的HBM3E内存技术采用自家的4nm制程工艺制造逻辑芯片，目前该工艺的良品率已超过70%。

此外，三星电子的HBM3E内存技术通过NVIDIA认证，不仅有助于公司重新夺回HBM技术和市场份额，还可能对DRAM市场供应产生影响。

据估计，三星电子可能会从其DRAM产能中调拨约30%专项生产HBM，这将削减约13%的全球DRAM供应量，进一步推高DRAM价格。

业界普遍认为，随着NVIDIA下一代Blackwell架构的预期需求，HBM内存的需求量将大幅增加，三星电子有望成为NVIDIA的重要供应商。