2024年折叠屏手机市场井喷！中国销量预估破千万台，同比跃升52.4%

9月11日消息，根据国际数据公司IDC的最新手机市场预测报告，至2024年底，中国折叠屏手机的出货量有望达到约1068万台，年增长率预估为52.4%。展望未来，到2028年，这一数字预计将超过1700万台，反映出五年的复合年增长率将保持在19.8%的高位，凸显了中国折叠屏手机市场的蓬勃发展趋势。

报告称，中国厂商在折叠屏手机上的积极投入和布局，促使中国一直都是全球最大的折叠屏手机市场。

IDC预计，未来中国折叠屏手机市场将会长期占据全球40%左右的市场份额。

华为一直都是中国折叠屏手机市场的重要参与者，不管是从产品形态、产业链技术还是系统应用的适配，始终引领折叠屏手机行业的发展，从2020年开始，市场份额一直超过三分之一。

而华为于昨日发布的Mate XT非凡大师三折手机不管是从硬件，还是软件生态，以及使用场景上将会进一步推动折叠屏手机市场的发展。

目前该手机在华为商城的预约人数已达500万。

荣耀和vivo则凭借新产品在轻薄和全能上的成功打造，今年上半年市场份额分别达到23.3%和18.7%，占据第二、第三的位置。

OPPO在今年没有新产品上市的情况下依然位居第四位，市场份额8.6%。

三星折叠屏产品受到来自中国品牌的竞争压力较大，市场份额只有4.2%，排名第五。

中国半导体技术新飞跃：自主研发沟槽型碳化硅MOSFET芯片，性能超越平面型芯片极限

近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历经四年潜心研究，终于在沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术上取得关键性突破，一举超越平面型产品的性能限制，标志着中国在这一半导体核心技术领域实现了零的突破。

项目背景

碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。

碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。

平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。

沟槽型结构是将栅极埋入基体中，形成垂直沟道，特点是可以增加元胞密度，没有 JFET 效应，沟道晶面可实现最佳的沟道迁移率，导通电阻比平面结构明显降低；缺点是由于要开沟槽，工艺更加复杂，且元胞的一致性较差，雪崩能量比较低。

而沟槽栅结构的设计比平面栅结构具有明显的性能优势，可实现更低的导通损耗、更好的开关性能、更高的晶圆密度，从而大大降低芯片使用成本，却一直以来受限于制造工艺，沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片产品迟迟未能问世、应用。

项目介绍

国家第三代半导体技术创新中心（南京）技术总监黄润华介绍称“关键就在工艺上”，碳化硅材料硬度非常高，改平面为沟槽，就意味着要在材料上“挖坑”，且不能“挖”得“坑坑洼洼”的。

在制备过程中，刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面残留物均对碳化硅器件的研制和性能有致命的影响。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）组织核心研发团队和全线配合团队，历时 4 年，不断尝试新工艺，最终建立全新工艺流程，突破“挖坑”难、稳、准等难点，成功制造出沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片。

较平面型提升导通性能 30% 左右，目前中心正在进行沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片产品开发，推出沟槽型的碳化硅功率器件，预计一年内可在新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域投入应用。

项目意义

对老百姓生活有何影响？黄润华以新能源汽车举例介绍，碳化硅功率器件本身相比硅器件具备省电优势，可提升续航能力约 5%；应用沟槽结构后，可实现更低电阻的设计。

在导通性能指标不变的情况下，则可实现更高密度的芯片布局，从而降低芯片使用成本。